Pulslu Elektron Depozisyon Yöntemi ile Vanadyum Pentaoksit Temelli İnce Film Fotodedektörlerin Üretimi ve Karakterizasyonu
Proje no. 32031 · Durum: Kapanmış (Yayın bekleniyor) · 2023
Özet
<p>Günümüzde, optoelektronik cihazlar elektronik ve haberleşme endüstrisinin önemli bir parçasını oluştururken, bu alandaki araştırmalar ve gelişmeler gün geçtikçe önem kazanmaktadır. Bu gelişmeler, yüksek performans, düşük maliyet ve çevre dostu özellikler sunan yeni malzemelerin keşfi ile yakından ilişkilidir. Silisyum, fotodedektörlerin temel bileşenlerinden biridir ve yüksek verimliliği ve olgun üretim teknolojisi nedeniyle fotodedektör uygulamalarının büyük bir bölümünü oluşturur. Bu tez projesi kapsamında, termal buharlaştırma yöntemi kullanılarak üretilen Silisyum taşıyıcılı V2O5 tabanlı MOS yapılı fotodedektörlerin geliştirilmesi ve karakterizasyonu ile çeşitli özelliklerinin incelenmesi amaçlanmaktadır. Vanadyum pentaoksit (V2O5), termal buharlaştırma yöntemi ile (n-Si/SiO2) taşıyıcı üzerine ince film formunda kaplanacaktır. Ardından, yapısal karakterizasyon yöntemleri olan X-ışınları kırınımı (XRD), X-ışını fotoelektron spektroskopisi (XPS) ve taramalı elektron mikroskobu (FESEM) kullanılarak üretilen ince filmin kristal yapısı, yüzey bileşimi ve morfolojisi hakkında önemli bilgiler elde edilecektir. Optik karakterizasyonlar (Transmitans, Absorbans) ile ışığın film tarafından nasıl absorbe edildiği ve iletilip iletilmediği konusunda bilgiler elde edilecektir. Bu, filmin optik performansını anlamak için kritik bir adımdır. Elektriksel karakterizasyonlar (I-V, I-t, V-t, Van der Pauw) ile fotodedektörlerin iletkenlik, özdirenç ve ışık tepkileri gibi kritik parametreleri değerlendirilecektir. Bu veriler, fotodedektörlerin performansını açıklamak ve optimize etmek için temel bilgiler sağlayacaktır. Araştırma, duyarlılık (R), tespit yeteneği (D), doğrusal dinamik menzil (LDR) ve tepki süreleri (tr, tf) gibi önemli parametreler fotodedektörlerin uygulama potansiyelini açıklar. Bu karakterizasyonlar sonucunda istenilen özelliklere sahip metal-oksit-yarıiletken yapılı V2O5 ince film fotodedektörlerin üretilmesi ve teknik uygulamalarda yeni fotodedektör tasarımlarının geliştirilmesi mümkün olacak ve literatüre önemli bir katkı sağlanacaktır.</p><p><br></p>