Silisyum Taşıyıcılı p-n Eklemli Vanadyum Pentaoksit İnce Film Fotodiyotların Üretimi ve Karakterizasyonu
Proje no. 32266 · Durum: Kapanmış (Yayın bekleniyor) · 2024
Özet
<p>Günümüzde, optoelektronik cihazlar elektronik ve haberleşme endüstrisinin önemli bir parçasını oluştururken, bu alandaki araştırmalar ve gelişmeler gün geçtikçe önem kazanmaktadır. Bu gelişmeler, yüksek performans, düşük maliyet ve çevre dostu özellikler sunan yeni malzemelerin keşfi ile yakından ilişkilidir. Silisyum, fotodiyotlar ve fotodedektör gibi optoelektronik sensörlerin temel bileşenlerinden biridir. Yüksek verimliliği, gelişmiş ve kolay üretim teknolojisi nedeniyle optoelektronik uygulamalarının büyük bir bölümünü oluşturur. Bu araştırma projesi kapsamında, termal buharlaştırma yöntemi kullanılarak üretilen Silisyum taşıyıcılı V2O5 p-n eklemli fotodiyotların geliştirilmesi ve karakterizasyonu ile özelliklerinin incelenmesi amaçlanmaktadır. Vanadyum pentaoksit (V2O5), termal buharlaştırma yöntemi ile (p-Si) taşıyıcı üzerine ince film formunda kaplanacaktır. Ardından, yapısal karakterizasyon yöntemleri olan X-ışınları kırınımı (XRD), X-ışını fotoelektron spektroskopisi (XPS) ve taramalı elektron mikroskobu (FESEM) kullanılarak üretilen ince filmin kristal yapısı, yüzey bileşimi ve morfolojisi hakkında önemli bilgiler elde edilecektir. Optik karakterizasyonlar (Transmitans, Absorbans) ile ışığın film tarafından nasıl absorbe edildiği ve iletilip iletilmediği konusunda bilgiler elde edilecektir. Bu, filmin optik performansını anlamak için kritik bir adımdır. Elektriksel karakterizasyonlar (I-V, I-t, V-t, C-V, Van der Pauw) ile fotodiyotların iletkenlik, özdirenç, ışık tepkileri ve değişken frekans altındaki davranışları gibi kritik parametreleri değerlendirilecektir. Bu veriler, fotodiyotların performansını açıklamak ve optimize etmek için temel bilgiler sağlayacaktır. Duyarlılık (R), tespit yeteneği (D), tepki süreleri (tr, tf) ve diğer diyot karakteristikleri gibi önemli parametrelerden yola çıkarak fotodiyotların uygulama potansiyelleri araştırılacaktır. Bu karakterizasyonlar sonucunda istenilen özelliklere sahip p-n eklemli V2O5 ince film fotodiyotların üretilmesi ve teknik uygulamalarda yeni ve yüksek performans değerlerine sahip fotodiyot tasarımlarının geliştirilmesi mümkün olacak ve literatüre önemli bir katkı sağlanacaktır.</p>