Impact of Gate Recessing on DC, RF and Noise Parameters of 6H-SiC-based Al0.30Ga0.70N/GaN HEMT for RF and Low Noise Applications Makalesi için Bilirkişi Raporu Yayın Hakemliği-Microsystem Technologies

Bilirkişi raporları > Bilirkişi Raporu · 2022

Yazarlar: Serap ÇELEN

Bilirkişi Raporu, 2022, Türkiye, Ege Üniversitesi, Uluslararası

Detay görüntüle